ICQ - форум. Всё про ICQ.  

Вернуться   ICQ - форум. Всё про ICQ. > Offtopic > Флейм > Школоло

Школоло Все темы типа: решите мне задачки и помогите завтра экзамен - сюда.


Тема закрыта
 
Опции темы Оценить тему
Старый 22.06.2011, 23:23   #1
Участник
 
Аватар для izerli
 
Регистрация: 28.06.2010
Сообщений: 415

Репутация: 354
По умолчанию Электроника 25.06

В общем пацаны, дело плохо... 25 июня экзамен по электронике. Наш препод реально наркоман - он выдал нам контрольные вопросы по электронике, которые будут считаться допуском. Если их не сдать то к экзамену не допускают, что очень печально учитывая конец сессии =( В общем надо написать ответы на вопросы и принести ему (видимо нет туалетки). Я не успею все это сделать. Вот собсна вопросы:
------------------------
1. Диоды выпрямительные
2. Диоды импульсные
3. Стабилитрон
4. Варикап
5. Транзисторы биполярные прямой проводимости
6. Транзисторы биполярные обратной проводимости
7. Транзисторы полевые
8. Транзисторы однопереходные
9. Динисторы
10. Тиристоры
11. Симисторы
12. Фотодиоды
13. Фототранзисторы
14. Фототиристоры
15. Фоторезисторы
16. Светодиоды
17. Оптронные пары диодные
18. Оптронные пары динисторные
19. Оптронные пары транзисторные
20. Оптронные пары тиристорные
21. Оптронные пары резисторные
22. Электровакуумные диоды
23. Электровакуумные триоды
24. Электровакуумные пентоды
25. Неоновые лампы
26. Тиратрон
27. Газоразрядный стабилитрон
вопросы на усилители (28-38)
28. Обратные связи
29. Электронные ключи
30. Усилители постоянного тока УПТ
31. Составной транзистор (Схема Дарлингтона)
32. Фазоинвертор транзисторный
33. Усилитель мощности трансформаторный
34. Усилитель мощности бестрансформаторный с одним источником питания
35. Усилитель мощности бестрансформаторный с двумя источниками питания
36. Избирательный усилитель
37. Операционные усилители
38. Усилители на ИМС
39. LC генератор
40. RC генератор
41. Кварцевый генератор
42. Мультивибратор
43. Блокинг-генератор
44. Выпрямитель однополупериодный
45. Выпрямитель двухполупериодный
46. Выпрямитель двухполупериодный со средней точкой
47. Управляемый выпрямитель (тиристорный)
48. Инвертор
49. Умножитель напряжения
50. Стабилизатор напряжения на параметрический
51. Компенсационный стабилизатор напряжения
52. Компенсационный стабилизатор напряжения на ОУ
53. Логические элементы И, ИЛИ, НЕ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ на дискретных элементах
54. Триггеры - RS, D, J
55. Регистр, Счетчик, Дешифратор, ОЗУ, ПЗУ
------------------------
Если есть свободные минут 20 набросайте пожалуйста в ворде пару вопросов только укажите номер вопроса и название. Нужно написать: схему (рисунок), как работает и если найдете то маркировку. Заранее наиогромнейшее спасибо.
izerli вне форума  
Плюсанули izerli — 2 :
Старый 23.06.2011, 00:13   #2
Участник заблокирован
 
Регистрация: 06.01.2009
Сообщений: 1,462

ICQ: 500400

Репутация: 5681
По умолчанию

izerli, один вопрос...если не шаришь, то нахуя в это подался?
etc. вне форума  
Старый 23.06.2011, 00:19   #3
Участник
 
Аватар для haq
 
Регистрация: 11.03.2007
Сообщений: 281

Репутация: 1005
По умолчанию

в группе разделите вопросы на всех, потом обменяетесь.
очень ускоряет процесс
__________________
[# 965-5о5]
haq вне форума  
Плюсанул haq :
Старый 23.06.2011, 00:20   #4
Участник
 
Аватар для izerli
 
Регистрация: 28.06.2010
Сообщений: 415

Репутация: 354
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от etc. Посмотреть сообщение
izerli, один вопрос...если не шаришь, то нахуя в это подался?
так получилось... уйти уже не могу, придется доучиваться

Добавлено через 2 минуты
haq, изначально так и было, потом парень который должен был все оформить и принести сломал свой комп и теперь придется точить каждому, так как не все с нашего города и информации теперь нет

Последний раз редактировалось izerli; 23.06.2011 в 00:22. Причина: Добавлено сообщение
izerli вне форума  
Старый 23.06.2011, 00:23   #5
Участник заблокирован
 
Регистрация: 06.01.2009
Сообщений: 1,462

ICQ: 500400

Репутация: 5681
По умолчанию

izerli, перевестись можно всегда..а учиться и развиваться надо по своей тематике кмк
etc. вне форума  
Старый 23.06.2011, 00:26   #6
Участник
 
Аватар для izerli
 
Регистрация: 28.06.2010
Сообщений: 415

Репутация: 354
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от etc. Посмотреть сообщение
izerli, перевестись можно всегда..а учиться и развиваться надо по своей тематике кмк
эм, в нашем колледже ничего больше нет нормального... идти в другой не вариант, т.к. остальные колледжи нашего города это полный бред и я не хочк терять в них свое драгоценное время
izerli вне форума  
Старый 23.06.2011, 00:40   #7
Участник заблокирован
 
Регистрация: 06.01.2009
Сообщений: 1,462

ICQ: 500400

Репутация: 5681
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
остальные колледжи нашего города это полный бред и я не хочк терять в них свое драгоценное время
по секрету - учась в колледже, ты уже теряешьсвоё драгоценное время - поверь, я закончил подобное заведение 5 лет назад
etc. вне форума  
Плюсанул etc. :
Старый 23.06.2011, 00:43   #8
Участник
 
Аватар для izerli
 
Регистрация: 28.06.2010
Сообщений: 415

Репутация: 354
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от etc. Посмотреть сообщение
по секрету - учась в колледже, ты уже теряешьсвоё драгоценное время - поверь, я закончил подобное заведение 5 лет назад
назад дороги нет. я же не могу сейчас все бросить и уйти. потому что мне не куда больше пойти.
izerli вне форума  
Старый 23.06.2011, 00:45   #9
Участник заблокирован
 
Регистрация: 06.01.2009
Сообщений: 1,462

ICQ: 500400

Репутация: 5681
По умолчанию

izerli, чем тебе институт не "место куда пойти"?
etc. вне форума  
Старый 23.06.2011, 00:57   #10
Археолог
 
Регистрация: 03.08.2010
Сообщений: 962

ICQ: 574454445

Репутация: 2197
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от etc. Посмотреть сообщение
если не шаришь, то на*** в это подался?
...
Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
1. Диоды выпрямительные
Диоды, используемые в электрических устройствах для преобразования тока в ток одной полярности называются выпрямительными. По вольтамперной характеристике (ВАХ) видно, что значения прямого и обратного токов отличаются на несколько порядков, а прямое падение напряжения не превышает единиц вольт по сравнению с обратным напряжением, которое может составлять сотни и более вольт. Поэтому диоды обладают односторонней проводимостью, что позволяет использовать их в качестве выпрямительных элементов. Из рисунка также следует, что с ростом температуры обратный ток возрастает. У большинства диодов этот ток при температуре 125 С-цельсия может увеличится на 2-3 порядка по сравнению с током при 25 С-цельсия.

С увеличением обратного напряжения обратный ток также растет, но медленнее, чем с повышением температуры. Лишь при подаче обратного напряжения, больше нормированного, происходит резкое его увеличение, что может привести к пробою p - n перехода.

Прямое напряжение при малых прямых токах, когда преобладает падение на переходе диода, с ростом температуры уменьшается. При больших токах, когда преобладает падение на базе диода, зависимость прямого напряжения от температуры становится положительной. Точка, в которой отсутствует зависимость прямого падения напряжения от температуры или это напряжение меняет знак, называется точкой инверсии.

У большинства диодов малой и средней мощности допустимый прямой ток, как правило, не превышает точку инверсии, а у силовых мощных диодов допустимый ток может быть выше этой точки.


Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
55. Регистр, Счетчик, Дешифратор, ОЗУ, ПЗУ
ПЗУ отличается от ОЗУ тем, что в него информация записывается однократно. Для ПЗУ возможен только режим чтения. Информация из ПЗУ считывается пословно. В одной строке записывается несколько слов. Выбор слова в строке производится с помощью селектора. Селектор собран на VT0 - VT7. Буфер ввода - вывода собран на многоэмиттерных транзисторах МТ1 - МТ4. Ввод и вывод кодов слов производится с одних и тех же выходов: 1, 2, 3, 4. Т.к. ввод производится однократно, то все остальное время эти входы используются для вывода. На дешифратор строк передается 5-ти разрядный номер строки, содержащий восемь четырех разрядных слов. С дешифратора слов номер слова передается на селектор. Например, пусть выбрана (1) строка и (0) слово. Необходимо записать со второго входа "1". Транзистор МТ2 откроется. Ток этого транзистора протекает через резистор R"о и закрывает 2-ой транзистор в выбранной "четверке". Таким образом состояние транзистора определяется записанным разрядом: при записи "1" - закрыт, при записи "0" - открыт. Затем повышают напряжение коллекторного питания накопителя. Через открытый транзистор потечет повышенный ток, который прожжет перемычку, которая изготовлена из нихрома с сопротивлением в несколько десятков Ом. Для их прожигания достаточен ток 20-30 мА. Перед записью слов опорное напряжение, подаваемое на многоэмиттерные транзистор увеличивается с тем, чтобы транзистор находился в состоянии, близком к закрытому. При чтении информации также происходит выбор слова и если перемычка в транзисторе не прожжена, то ток этого транзистора создает падение напряжения на Ro, которое закрывает многоэмиттерный транзистор. Состояние многоэмиттерного транзистора определяет код на выходе. Таким образом программу прожигает пользователь.
__________________
n3kt0 и Я, разные люди! Они даже между собой не разговаривают друг о друге.


n3kt0 вне форума  
Плюсанули n3kt0 — 5 :
Старый 23.06.2011, 02:34   #11
Археолог
 
Регистрация: 03.08.2010
Сообщений: 962

ICQ: 574454445

Репутация: 2197
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
2. Диоды импульсные
Предназначены для работы в импульсных схемах. Положительный импульс диод пропускает без искажений и при прямом напряжении через диод проходит большой ток. При смене полярности входного напряжениии на отрицательный диод запирается, но не сразу, в начале происходит резкое увеличение обратного тока, затем, после рассасывания, неравновесных носителей восстанавливается высокое сопротивление p-n перехода (p-n-переход (n - negative - отрицательный, электронный, p - positive - положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход - область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (ВАХ).), и диод запирается. Данный тип диодов применяют в импульсных ключевых схемах с малым временным переключением.

Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
3. Стабилитрон
Стабилитрон (диод Зенера) - полупроводниковый диод, предназначенный для поддержания напряжения источника питания на заданном уровне. По сравнению с обычными диодами имеет достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока. Материалы, используемые для создания p-n перехода стабилитронов, имеют высокую концентрацию легирующих элементов (примесей). Поэтому, при относительно небольших обратных напряжениях в переходе возникает сильное электрическое поле, вызывающее его электрический пробой, в данном случае являющийся обратимым (если не наступает тепловой пробой вследствие слишком большой силы тока).

В основе работы стабилитрона лежат два механизма:

1) Лавинный пробой p-n перехода, т.е. электрический пробой в диэлектриках и полупроводниках, связанный с тем, что в сильном электрическом поле носители заряда могут приобретать энергию, достаточную для ударной ионизации атомов или молекул материала. В результате каждого такого столкновения возникает пара противоположно заряженных частиц, одна или обе из которых также начинают участвовать в ударной ионизации. По этой причине нарастание числа участвующих в ударной ионизации носителей происходит лавинообразно, отсюда и название пробоя.

2) Туннельный пробой p-n перехода (Эффект Зенера), т.е. если p и n области сильно легированы, то ширина ОПЗ становится малой и за счет туннельного эффекта появляется конечная вероятность для электронов из валентной зоны проникнуть в зону проводимости, преодолев барьер, который возникает в сильном электрическом поле. Для туннельного эффекта характерно то, что электроны после преодоления энергии не изменяют своей энергии, следовательно для того, чтобы этот эффект имел место, электрическое поле должно быть настолько сильным, чтобы обеспечить такой наклон зон, при котором заполненные электронами уровни валентной зоны оказались напротив незаполненных энергетических уровней разрешенной зоны. Имеется потенциальный барьер, который должен преодолеть один из электронов. Поскольку туннельный механизм перехода носителей имеет место только при малой ширине ОПЗ, то для этого типа пробоя характерны невысокие пробивные напряжения. К отличительным особенностям туннельного пробоя следует также отнести сравнительно слабую зависимость от температуры напряжения пробоя.

У стабилитронов до напряжения 5,6 вольт преобладает туннельный пробой с отрицательным температурным коэффициентом, выше 5,6 вольт доминирующим становится лавинный пробой с положительным температурным коэффициентом. При напряжении, равном 5,6 вольт, оба эффекта уравновешиваются, поэтому выбор такого напряжения является оптимальным решением для устройств с широким температурным диапазоном применения.

Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
4. Варикап
Варикап - это полупроводниковый диод, в котором используется зависимость емкости p-n перехода от обратного напряжения.

Варикапы удобны тем, что, подавая на них постоянное напряжение смещения, можно дистанционно и практически безинерционно менять их емкость и тем самым резонансную частоту контура, в который включен варикап. Варикапы применяют для усиления и генерации СВЧ сигналов, перестройки частоты колебательных контуров или автоподстройки частоты.

Принцип работы варикапа основан на свойствах барьерной емкости p-n перехода, причем при увеличении обратного напряжения на переходе его емкость уменьшается. Эта емкость имеет относительно высокую добротность, низкий уровень собственных шумов и независит от частоты вплоть до миллиметрового диапозона.



Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
5. Транзисторы биполярные прямой проводимости
6. Транзисторы биполярные обратной проводимости
Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

При изучении работы p-n- перехода было отмечено, что при приложении напряжения к p-n-переходу наблюдается изменение сопротивления перехода. Это явление было названо транзисторным эффектом. В основе этого эффекта лежит изменение концентрации неосновных носителей заряда.


Транзистор представляет собой двухпереходный прибор (рисунок 1). Переходы, образованные п/п с различными типами проводимости, образуются на границе тех трех слоев, из которых состоит транзистор.

Контакты с внешними электродами – омические. В зависимости от типа проводимости крайних слоев различают транзисторы прямой проводимости p-n-p-транзисторы, и транзисторы обратной проводимости – n-p-n-транзисторы. Два транзистора различного типа называют комплементарной парой (рисунок 2).


Для эффективной работы транзистора область транзистора из которой производится инжекция (эмиттер) выполняется с максимальной степенью легирования. Переход, работающий в прямом направлении, называется эмиттерным, а соответствующий крайний слой – эмиттером. Средний слой называется базой. Второй переход, нормально смещенный в обратном направлении называется коллекторным, а соответствующий крайний слой – коллектором.

Транзистор, как усилительный прибор, если коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный – в прямом (рисунок 3). При подаче на эмиттер напряжения в прямом направлении, ток эмиттера имеет дырочную и электронную составляющую. Но так как область эмиттера сильно легирована, то эмиттерный ток определяется его дырочной составляющей: I(Э) = I(Эp) + I(Эn), I(Эp) >> I(Эn).



Носители электрического заряда – дырки – вводятся током эмиттера в область базы. Проходя эту область дырки рекомбинируют с имеющимися в ней электронами, появляется Iрек. Чтобы уменьшить эту составляющую базу делают как можно меньше, чтобы поток носителей не успел рекомбинировать.

В коллекторной области ток состоит из двух составляющих дырочной, обусловленной потоком из эмиттера и электронной – обусловленной потоком неосновных носителей заряда коллекторной области, но она мала, поэтому практически не влияет на ток коллектора: I(K) = I(Kp) + I(Kn).

I(Б) = I(Э) – I(К).

Чем меньше I(Б), тем лучше функционирует транзистор.

В процессе работы биполярного транзистора на него могут подаваться различные напряжения.

Существуют четыре режима работы биполярного транзистора:

1) Насыщение – эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении.

2) Нормальный активный – эмиттерный переход – прямое смещение, коллекторный переход – обратное смещение.

3) Инверсный активный режим – эмиттерный переход – обратное смещение, коллекторный – прямое.

4) Отсечка – эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении.

Схемы включения биполярного транзистора.

В биполярных транзисторах три электрода. Состояние электрода зависит от электрического состояния двух других. Поскольку электродов три, то основные схемы включения: один электрод как общий для входного сигнала.

Появление третьего электрода дало возможность создания приборов с комплиментарной парой. Важной особенностью является также то, что при различных включениях транзистора мы можем управлять не только потоками электронов, но и дырок.

Для каждого включения транзистора существует четыре режима работы. Благодаря этому транзистор может проявлять различные свойства.

Основные схемы включения:

1) Включение с общей базой – различные режимы работы осуществляются путем различного включение источников питания (рисунок 4).


2) Включение с общим эмиттером – в отличие от схемы с ОБ в схеме с ОЭ изменять режимы работы можно, меняя соотношение между ЕБ и ЕК. Например, чтобы смещение коллекторного переходы было обратным ЕК должно быть больше ЕБ (рисунок 5).


3) Включение с общим коллектором – также, как и в схеме с ОЭ изменять режимы работы можно, меняя соотношение между ЕБ и ЕК (рисунок 6).


Биполярный транзистор имеет три схемы включения: схема с ОБ, ОК и ОЭ. Для каждой схемы включения существует четыре семейства ВАХ

- входная характеристика: i(вх) = f (uвх) при u(вых) = const.

- выходная характеристика: i(вых) = f (uвых) при i(вх) = const.

- дополнительная характеристика – характеристика прямой передачи тока: i(вых) = f (iвх) при u(вых) = const.

- дополнительная характеристика – характеристика обратной связи: u(вх) = f (uвых) при i(вх) = const.

ВАХ транзистора для различных схем включения (нормальный активный режим). При построении ВАХ в цепи любого из электродов не должно быть дополнительных элементов.

Схема с ОБ.

Входная характеристика: i(Э) = f (UЭБ) при U(КБ) = const (рисунок 7).


При U(КБ)1 = 0 входная характеристика представляет собой обычную ВАХ прямосмещенного p-n перехода. При U(КБ) ≠ 0: когда U(ЭБ) = 0. т.е. ЕЭ = 0 имеем следующие процессы. В выходной цепи существует ток. Неосновные носители заряда проходя через узкую и достаточно длинную n-область создают разность потенциалов, который обеспечивает начальный ток эмиттера, т.е. при U(КБ)2 ≠ 0 происходит смещение ВАХ вверх по оси токов. С увеличением UКБ смещение будет увеличиваться, т.к. будет возрастать начальный ток эмиттера.

Выходная характеристика: i(К) = f (UКБ) при I(Э) = const (рисунок 8).


При I(Э) = 0 входная цепь разорвана и выходная ВАХ представляет собой ВАХ обратносмещенного p-n перехода.

При увеличении I(Э). При подключении Е(Э) и отсутствии Е(К) I(K) создается основными носителями заряда инжектированными эмиттером. При подключении Е(К) ток начнет увеличиваться из-за неосновных носителей базы. Но есть еще одно обстоятельство. При увеличении Е(К), коллекторный переход, находящийся под обратным смещением начнет уменьшаться. А значит дырке из эмиттера нужно пройти меньшее расстояние, чтобы попасть из базы в p-область, т.е. уменьшается вероятность ее рекомбинации – эффект модуляции тока. За счет этой составляющей коллекторный ток также увеличивается.

В сочетании с нагрузочной прямой по ВАХ можно получить реальный режим работы. При увеличении тока эмиттера увеличивается ток коллектора и уменьшается напряжение на нем. Существуют предельные значения напряжения UКБ и IК. Следовательно, существует и предельно допустимая мощность, выражаемая гиперболой. Этими границами руководствуются при выборе нагрузки, т.к. нагрузочная прямая не должна лежать за пределами границ.

Схема с ОЭ:

Входная характеристика: i(Б) = f (UБЭ) при U(КЭ) = const (рисунок 9).

При U(КЭ)1 = 0 входная характеристика представляет собой обычную ВАХ прямосмещенного p-n-перехода (эмиттерного, т.к. U(КЭ)=0).

При увеличении U(КЭ)2 I(КБ)0<0, т.к. ток протекает в направлении противоположном протеканию тока в нормальном активном режиме. Поэтому ВАХ смещается вниз по оси токов.


Выходная характеристика: i(К) = f (UКЭ) при I(Б) = const (рисунок 10).

При I(Б) = 0. В этом случае имеем два встречно соединенных p-n-перехода: 1- смещен в обратном направлении, 2 – в прямом. При обратном смещении сопротивление перехода велико, поэтому ток будет определяться обратносмещенным переходом. Поэтому в нашем случае, выходная ВАХ представляет собой ВАХ коллекторного перехода при обратном смещении. При I(Б) ≠ 0 : когда U(КЭ) = 0 I(K) < 0.
__________________
n3kt0 и Я, разные люди! Они даже между собой не разговаривают друг о друге.



Последний раз редактировалось n3kt0; 23.06.2011 в 06:53. Причина: коррекция
n3kt0 вне форума  
Плюсанули n3kt0 — 6 :
Старый 23.06.2011, 02:37   #12
Археолог
 
Регистрация: 03.08.2010
Сообщений: 962

ICQ: 574454445

Репутация: 2197
По умолчанию



Схема с ОК:

Входная характеристика: iБ = f (UБК) при UЭК = const (рисунок 11).



При UЭК1 = 0. При UБК = 0 источников электрической энергии нет и IБ = 0. При увеличении UБК к транзистору будут прикладываться обратное напряжение и оба перехода будут смещаться в обратном направлении, поэтому ВАХ – это обратная ветвь p-n-перехода.

При UЭК2 ≠ 0 появиться ЕЭ, которая будет пытаться сместить эмиттерный переход в прямом направлении. При ЕЭ = ЕБ IБ = 0. Далее ЕЭ > ЕБ – переход смещается в обратном направлении. Поэтому при увеличении UЭК характеристика смещается вправо по оси напряжений.

Схема с ОК характеризуется очень маленькими входными токами. Напряжения могут быть большими. Схема с ОК имеет большое входное сопротивление.

Выходная характеристика: iЭ = f (UЭК) при IБ = const (рисунок 12).

Выходные характеристики схемы с ОК аналогичны выходным характеристикам схемы с ОЭ.
__________________
n3kt0 и Я, разные люди! Они даже между собой не разговаривают друг о друге.


n3kt0 вне форума  
Плюсанули n3kt0 — 3 :
Старый 23.06.2011, 03:27   #13
Крутыш
 
Аватар для b00b1ik
 
Регистрация: 01.10.2003
Сообщений: 818

Репутация: 5313
Отправить сообщение для b00b1ik с помощью Skype™ Jabber Bimoid
По умолчанию

Ох, как хочется материться.
__________________
асечка@conference.jabber.ru

Асечка - нам есть дело до всего!

b00b1ik вне форума  
Плюсанули b00b1ik — 2 :
Старый 23.06.2011, 03:29   #14
Археолог
 
Регистрация: 03.08.2010
Сообщений: 962

ICQ: 574454445

Репутация: 2197
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
7. Транзисторы полевые
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей , протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом.

Поскольку ток канала обусловлен носителями только одного знака, ПТ относят к классу униполярных транзисторов.

В идеальном случае эффект управления током достигается без потери энергии (входной ток почти равен нулю). Электрод , через который в проводящий канал втекают носители заряда, называют истоком, а электрод, на который подаётся управляющий электрический сигнал, называется затвором. Проводящий канал - это область в полупроводнике, в которой регулируется поток носителей заряда.

В связи с тем, что управление током в выхоной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ черезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов.

ПТ обладают рядом приемуществ по сравнению с биполярными:

- высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление
- высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей)
- почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей)
- квадратичность вольт - амперной характеристики (аналогична триоду)
- высокая температурная стабильность
- малый уровень шумов

Используя большое входное сопротивление ПТ, можно увеличить коэффициент передачи и существенно снизить коэффициент шума в УНЧ, предназначенных для работы от высокоомных источников сигнала. Наличие термостабильной точки позволяет снизить дрейф в ряде усилителей постоянного тока (УПТ).

Линейная зависимость крутизны ПТ от управляющего напряжения обеспечивает более сильное подавление перекрёстных помех и нелинейных искажений во входных каскадах радиоприёмных устройств. ПТ имеют приемущество и в качестве сопротивления, управляемого напряжением в устройствах регулирования уровня сигнала (компрессорах, цепях АРУ). Применение ПТ в синхронных выпрямителях (СВ) позволяет получить КПД до 0.962 и выше. В ряде случаев ПТ не боятся перегрузки, т.к. имеют естественное ограничение тока.
Несомненны и приемущества ПТ и в качестве ключей высоковольтных преобразователей, в отличии от биполярных транзисторов, применение которых ограничено "вторичным пробоем". Явление "вторичного пробоя" обусловлено концентрацией тока в пределах малых областей активной структуры транзистора. Распределение теплоты в кристалле является неравномерным и зависит от плотности тока и приложенного напряжения. При больших напряжениях коллектора ток стягивается в узкую область, что приводит к существенному изменению активной площади p-n перехода, в результате чего увеличивается тепловое сопротивление. Если игнорировать это явление, то уже при относительно небольших мощностях может произойти сильное сужение тока в структуре и резкое повышение её температуры в области прохождения тока до температуры плавления, что вызывает разрушение транзистора.

ПТ можно разделить на 2 группы:
- ПТ с управляющим p-n переходом и барьером Шотки
- ПТ с изолированным затвором со структурой металл - диэлектрик - полупроводник (МДП - транзистор), иногда его называют МОП - транзистором (металл - окисел - полупроводник)

В свою очередь ПТ с изолированным затвором подразделяются на:
- с индуцированным каналом (обогащённого типа)
- со встроенным каналом (обеднённого типа)

Выпускается большое количество ПТ разного типа:

- канал проводимости обогащённого типа
- канал проводимости обеднённого типа
- переход PN
- переход NP
- P - канал на подложке
- N - канал на подложке
- затвор изолированный




Характерной особенностью ПТ с управляющим p-n переходом, а также с изолированным затвором и встроенным каналом является наличие начального тока стока Iс нач при отсутствии управляющего сигнала на затворе и при условии Uси нас <= Uси = const,
где Uси нас - напряжение "сток - исток" на границе области насыщения.
В ПТ с управляющим p-n переходом управляющая цепь отделена от канала обратно - смещённым p-n переходом (поляризованном в направлении запирания pn- или np- переходом), при этом канал расположен в объёме полупроводника и существует при нулевом напряжении на затворе, т.е. является встроенным каналом.
В силу конструктивных особенностей транзисторов с управляющим p-n переходом они обычно работают в режиме обеднения проводящего канала, т.е. при подаче запирающего напряжения на затвор. При этом электропроводность канала ПТ уменьшается и не превышает Iс нач, таким образом проводимость достигается инвертированием электрического поля:


Применение металлического затвора создаёт с полупроводником канала выпрямляющий контакт (диод Шотки) и позволяет существенно уменьшить рамеры структуры. Использование арсенида галлия, имеющего в два раза большую скорость движения носителей заряда, чем в кремнии, а также очень мелкое залегание в толще кристалла управляющего барьера Шотки (в сравнении с управляющим p-n переходом), позволяющее получить малую ёмкость Сзс , резко повышает диапазон рабочих частот транзистора.
Входная вольт - амперная характеристика ПТ с управляющим p-n переходом и каналом n - типа:


Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
8. Транзисторы однопереходные
Транзистор однопереходный - имеет и другое название - двухбазовый диод.

Принцип действия транзистора основан на изменении объёмного сопротивления полупроводника базы при инжекции. В отличии от биполярных и полевых транзисторов ОПТ представляет собой прибор с отрицательным сопротивлением. Это означает, что в определённых условиях входное напряжение или сигнал могут уменьшаться даже при возрастании выходного тока через нагрузку. Когда ОПТ находится во включённом состоянии, выключить его можно только разомкнув цепь, либо сняв входное напряжение.
Участок между базами образован кремниевой пластиной n-типа и имеет линейную вольтамперную характеристику, т.е. ток через этот участок прямо пропорционален приложенному межбазовому напряжению. При отсутствии напряжения на эмиттере (относительно Б1) за счёт проходящего I2 в базе 1 внутри кристалла создаётся падение напряжения Uвн, запирающее p-n переход, При подаче на вход небольшого напряжения Uвх=<Uвн величина тока, проходящего через переход,почти не изменяется. При Uвх>Uвн переход смещается в прямом направлении и начинается инжекция носителей заряда (дырок) в базы, приводящая к снижению их сопротивления. При этом уменьшается падение напряжения Uвн, что приводит к лавинообразному отпиранию перехода - участок II на воль-амперной характеристике:


Участок III, справа от минимума, где эмиттерный ток ограничивается только сопротивлением насыщения, называется областью насыщения. При уменьшении эмиттерного напряжения до Uвх<Uвн переход закрывается. При нулевом токе базы 2 (т.е. вывод Б2 не используется) характеристика (кривая 2) представляет собой по существу характеристику обычного кремниевого диода.
Однопереходные транзисторы применяются в различных схемах генераторов релаксационных колебаний, мультивибраторах, счётчиках импульсов, триггерных схемах управления тиристорами, генераторах пилообразного напряжения, делителях, реле времени, схемах фазового управления и др. Однако из-за малой скорости переключения и сравнительно большой потребляемой входной мощности они широкого распространения не получили.
Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
9. Динисторы
Динистор - полупроводниковый прибор, двухэлектродный тиристор.

Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
10. Тиристоры
Тиристор - полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.

Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ).

Основное применение тиристоров - управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства.

Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении и в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы).

Тиристор имеет нелинейную вольтамперную характеристику с участком отрицательного дифференциального сопротивления. По сравнению, например, с транзисторными ключами, управление тиристором имеет некоторые особенности. Переход тиристора из одного состояния в другое в электрической цепи происходит скачком (лавинообразно) и осуществляется внешним воздействием на прибор: либо напряжением (током), либо светом (для фототиристора). После перехода тиристора в открытое состояние он остаётся в этом состоянии даже после прекращения управляющего сигнала, если протекающий через тиристор ток превышает некоторую величину, называемую током удержания.

Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
11. Симисторы
Симиcтop (симметричный триодный тиристор) или триак-полупроводниковый прибор, являющийся разновидностью тиристоров и используемый для коммутации в цепях переменного тока. В электронике часто рассматривается как управляемый выключатель (ключ).

В отличие от тринистора, имеющего катод и анод, основные (силовые) выводы симистора называть катодом или анодом некорректно, так как в силу структуры симистора они являются тем и другим одновременно.

Однако по способу включения относительно управляющего электрода основные выводы симистора различаются, причём имеет место их аналогия с катодом и анодом тринистора.

Для управления нагрузкой основные электроды симистора включаются в цепь последовательно с нагрузкой. В закрытом состоянии проводимость симистора отсутствует, нагрузка выключена. При подаче на управляющий электрод отпирающего сигнала между основными электродами симистора возникает проводимость, нагрузка оказывается включённой. Характерно, что симистор в открытом состоянии проводит ток в обоих направлениях.

Другой особенностью симистора, как и других тиристоров, является то, что для его удержания в открытом состоянии нет необходимости постоянно подавать сигнал на управляющий электрод (в отличии от транзисторa).

Симистор остаётся открытым, пока протекающий через основные выводы ток превышает некоторую величину, называемую током удержания. Отсюда следует, что выключение нагрузки происходит вблизи моментов времени, когда напряжение на основных электродах симистора меняет полярность (обычно это совпадает по времени со сменой полярности напряжения в сети).

Для отпирания симистора на его управляющий электрод подаётся напряжение относительно условного катода. Полярность управляющего напряжения, как правило, должна быть либо отрицательной, либо должна совпадать с полярностью напряжения на условном аноде. Поэтому часто используется такой метод управления симистором, при котором сигнал на управляющий электрод подаётся с условного анода через токоограничительный резистор и выключатель. Управлять симистором часто удобно, задавая определённую силу тока управляющего электрода, достаточную для отпирания. Некоторые типы симисторов могут отпираться сигналом любой полярности, хотя при этом может потребоваться больший управляющий ток.

При использовании симистора накладываются ограничения, в частности при индуктивной нагрузке. Ограничения касаются скорости изменения напряжения (dU/dt) между основными электродами симистора и скорости изменения рабочего тока di/dt. Превышение скорости изменения напряжения на симисторе (из-за наличия его внутренней ёмкости), а также величины этого напряжения, могут приводить к нежелательному открыванию симистора. Превышение скорости нарастания тока между основными электродами, а также величины этого тока, может привести к повреждению симистора. Существуют и другие параметры, на которые накладываются ограничения в соответствии с предельно-допустимыми режимами эксплуатации. К таким параметрам относятся ток и напряжение управляющего электрода, температура корпуса, рассеиваемая прибором мощность и пр.

Опасность превышения по скорости нарастания тока заключается в следующем. Благодаря глубокой положительной обратной связи переход симистора в открытое состояние происходит лавинообразно, но, несмотря на это, процесс отпирания может длиться до нескольких микросекунд, в течение которых к симистору оказываются приложены одновременно большие значения тока и напряжения. Поэтому, даже несмотря на то, что падение напряжения на полностью открытом симисторе невелико, мгновенная мощность во время открывания симистора может достигнуть большой величины. Это сопровождается выделением тепловой энергии, которая не успевает рассеяться и может привести к перегреву и повреждению кристалла.

Одним из способов защиты симистора от выбросов напряжения при работе с индуктивной нагрузкой является включение варистора параллельно основным выводам симистора. Для защиты симистора от превышения скорости изменения напряжения применяют так называемую снабберную цепочку (RC-цепь), подключаемую аналогично.
Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
12. Фотодиоды
В качестве фотодиода используют полупроводниковые диоды с p-n переходом, который смещен в обратном направлении внешним источником питания.

При поглощении квантов света в p-n переходе или в прилегающих к нему областях образуются новые носители заряда. Неосновные носители заряда, возникшие в областях, прилегающих к p-n переходу на расстоянии, не превышающей диффузионной длины, диффундируют в p-n переход и проходят через него под действием электрического поля. То есть обратный ток при освещении возрастает. Поглощение квантов непосредственно в p-n переходе приводит к аналогичным результатам. Величина,на которую возрастает обратный ток, называется фототоком.

Характеристики:

1) вольт-амперная характеристика фотодиода представляет собой зависимость светового тока при неизменном световом потоке и темнового тока Iтемн от напряжения.

2) световая характеристика фотодиода,то есть зависимость фототока от освещенности, соответствует прямой пропорциональности фототока от освещенности. Это обусловлено тем, что толщина базы фотодиода значительно меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда. То есть практически все неосновные носители заряда, возникшие в базе, принимают участие в образовании фототока.

3) спектральная характеристика фотодиода – это зависимость фототока от длины волны падающего света на фотодиод. Она определяется со стороны больших длин волн шириной запрещенной зоны, при малых длинах волн большим показателем поглощения и увеличения влияния поверхностной рекомбинации носителей заряда с уменьшением длины волны квантов света. То есть коротковолновая граница чувствительности зависит от толщины базы и от скорости поверхностной рекомбинации. Положение максимума в спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от степени роста коэффициента поглощения.

4) постоянная времени – это время, в течение которого фототок фотодиода изменяется после освещения или после затемнения фотодиода в е раз (63%) по отношению к установившемуся значению.

5) темновое сопротивление – сопротивление фотодиода в отсутствие освещения.

6) интегральная чувствительность

K = Iф/,

где Iф – фототок, – освещенность.

7) инерционность.

Существует 3 физических фактора, влияющих на инерционность:

1) время диффузии или дрейфа неравновесных носителей через базу t
2) время пролета через p-n переход t(i)
3) время перезарядки барьерной емкости p-n перехода, характеризующееся постоянной времени RС(бар) .

Время диффузии носителей заряда через базу можно определить (аналогично времени пролета носителей заряда через базу транзистора) для бездрейфового:



и дрейфового:


tg 50 нс.

Время пролета через p-n переход:


где d - толщина p-n перехода, V(max) – максимальная скорость дрейфа носителей заряда (V(max)для кремния и германия равна 5*10^6 см/c).

Толщина p-n перехода, зависящая от обратного напряжения и концентрации примесей в базе, обычно меньше 5 мкм, а значит t(i)=0.1 нс. RC(бар) определяется барьерной емкостью p-n перехода, зависящей от напряжения и сопротивления базы фотодиода при малом сопротивлении нагрузки во внешней цепи. Величина RС(бар) порядка нескольких наносекунд.

Фотодиоды обычно изготовляют из германия или кремния.

Фотодиод является потенциально широкополосным приемником. Этим и обуславливается его повсеместное применение.

Добавлено через 1 час 31 минуту
Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
13. Фототранзисторы
Фототранзистор - оптоэлектронный полупроводниковый прибор, вариант биполярного транзистора. Отличается от классического варианта тем, что область базы доступна для светового облучения, за счёт чего появляется возможность управлять усилением электрического тока с помощью оптического излучения.

Фототранзистор имеет структуру n-p-n или p-n-p транзистора и может усиливать ток. Дырки электронно-дырочных пар, рождённых излучением, находятся в базе, а электроны переходят в эмиттер или коллектор. При увеличении положительного потенциала базы происходит усиление фототока за счёт инжекции электронов из эмиттера в базу.

Недостатком фототранзисторов является большая инерционность, что ограничивает их применение в качестве быстродействующих выключателей.
Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
14. Фототиристоры
Фототиристор - оптоэлектронный полупроводниковый прибор, имеющий структуру, схожую со структурой обычного тиристора, но отличающийся от последнего тем, что включается не напряжением, а светом, падающим на тиристорную структуру. Этот прибор применяется в управляемых светом выпрямителях и наиболее эффективен в управлении сильными токами при высоких напряжениях. Скорость отклика на свет - менее 1 мкс. Фототиристоры обычно изготавливают из кремния, и спектральная характеристика у них такая же, как и у других кремниевых фоточуствительных элементов.

Разновидностью фототиристора является оптотиристор, в котором источник света - светодиод из арсенида галлия - интегрирован в одном светонепроницаемом корпусе с кремниевой тиристорной структурой.
Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
15. Фоторезисторы
Фоторезистор - полупроводниковый прибор, изменяющий величину своего сопротивления при облучении светом.

Для изготовления фоторезисторов используют полупроводниковые материалы с шириной запрещенной зоны, оптимальной для решаемой задачи. Так, для регистрации видимого света используются фоторезисторы из селенида и сульфида кадмия, Se. Для регистрации инфракрасного излучения используются Ge (чистый или легированный примесями Au, Cu или Zn), Si, PbS, PbSe, PbTe, InSb, InAs, HgCdTe, часто охлаждаемые до низких температур. Полупроводник наносят в виде тонкого слоя на стеклянную или кварцевую подложку или вырезают в виде тонкой пластинки из монокристалла. Слой или пластинку полупроводника снабжают двумя электродами и помещают в защитный корпус.

В инфракрасной области могут быть использованы фоторезисторы на основе PbS, PbSe, PbTe, InSb, в области видимого света и ближнего ультрафиолета – CdS.

Для регистрации оптического излучения его световую энергию обычно преобразуют в электрический сигнал, который затем измеряют обычным способом. При этом преобразовании обычно используют следующие физические явления:

– генерацию подвижных носителей в твердотельных фотопроводящих детекторах
– изменение температуры термопар при поглощении излучения, приводящее к изменению термо-э. д. с.
– эмиссию свободных электронов в результате фотоэлектрического эффекта с фоточувствительных пленок.

Наиболее важными типами оптических детекторов являются следующие устройства:

– фотоумножитель
– полупроводниковый фоторезистор
– фотодиод
– лавинный фотодиод.
Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
16. Светодиоды
Светодиод или светоизлучающий диод (СД, СИД, LED) - полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом или контактом металл-полупроводник, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока.

Излучаемый свет лежит в узком диапазоне спектра, его спектральные характеристики зависят в том числе от химического состава использованных в нём полупроводников.

При пропускании электрического тока через p-n переход в прямом направлении, носители заряда - электроны и дырки - рекомбинируют с излучением фотонов (из-за перехода электронов с одного энергетического уровня на другой).

Не все полупроводниковые материалы эффективно испускают свет при рекомбинации. Лучшие излучатели относятся к прямозонным полупроводникам (то есть таким, в которых разрешены прямые оптические переходы зона-зона), типа AIIIBV (например, GaAs или InP) и AIIBVI (например, ZnSe или CdTe). Варьируя состав полупроводников, можно создавать светодиоды для всевозможных длин волн от ультрафиолета (GaN) до среднего инфракрасного диапазона (PbS).
Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
17. Оптронные пары диодные
18. Оптронные пары динисторные
19. Оптронные пары транзисторные
20. Оптронные пары тиристорные
21. Оптронные пары резисторные
Оптрон (оптопара) - электронный прибор, состоящий из излучателя света (обычно - светодиод, в ранних изделиях - миниатюрная лампа накаливания) и фотоприёмника (биполярных и полевых фототранзисторов, фотодиодов, фототиристоров, фоторезисторов), связанных оптическим каналом и как правило объединённых в общем корпусе. Принцип работы оптрона заключается в преобразовании электрического сигнала в свет, его передаче по оптическому каналу и последующем преобразовании обратно в электрический сигнал.

В оптроне входная и выходная цепи гальванически развязаны между собой; взаимодействие цепей ограничено паразитными ёмкостями между выводами оптрона.

Электрическая прочность (допустимое напряжение между входной и выходной цепями) зависит от конструктивного оформления прибора; для распространённых отечественных DIP-корпусов предельное напряжение между цепями нормируется на 500 или 1000 В, при этом сопротивление изоляции нормируется на уровне 10^11 Ом. Реальное напряжение электрического пробоя такого прибора - порядка нескольких киловольт.

Нижняя рабочая частота оптрона не ограничена - оптроны могут работать в цепях постоянного тока. Верхняя рабочая частота оптронов, оптимизированных под высокочастотную передачу цифровых сигналов, достигает сотен МГц. Верхние рабочие частоты линейных оптронов существенно ниже (единицы-сотни кГц). Наиболее медленные оптроны, использующие лампы накаливания, фактически являются эффективными фильтрами нижних частот с граничной полосой порядка единиц Гц.



Диодные оптопары (на рис. а) в большой степени, чем какие-либо: другие приборы, характеризуют уровень оптронной техники. По величине К(i) можно судить о достигнутых КПД преобразования энергии в оптроне, значения временных параметров позволяют определить предельные скорости распространения информации. Подключение к диодной оптопаре тех или иных усилительных элементов, весьма полезное и удобное, не может тем не менее дать выигрыша ни по энергетике, ни по предельным частотам.

Транзисторные оптопары (на рис. c) рядом своих свойств выгодно отличаются от других видов оптронов. Это прежде всего схемотехническая гибкость, проявляющаяся в том, что коллекторным током можно управлять как по цепи светодиода (оптически), так и по базовой цепи (электрически), а также в том, что выходная цепь может работать и в линейном и в ключевом режиме. Механизм внутреннего усиления обеспечивает получение больших значений коэффициента передачи тока К(i), так что последующие усилительные каскады не всегда необходимы. Важно, что при этом инерционность оптопары не очень велика и для многих случаев вполне допустима. Выходные токи фототранзисторов значительно выше, чем, например, у фотодиодов, что делает их пригодными для коммутации широкого круга электрических цепей. Наконец, следует отметить, что все это достигается при относительной технологической простоте транзисторных оптопар.

Тиристорные оптопары (на рис. b) наиболее перспективны для коммутации сильноточных высоковольтных цепей:

- по сочетанию мощности
- коммутируемой в нагрузке, и быстродействию они явно предпочтительнее Т2-оптопар.

Оптопары типа АОУ103 предназначены для использования в качестве бесконтактных ключевых элементов в различных радиоэлектронных схемах:

- в цепях управления
- усилителях мощности

Резисторные оптопары (на рис. d) принципиально отличаются от всех других видов оптопар физическими и конструктивно-технологическими особенностями, а также составом и значениями параметров.

В основе принципа действия фоторезистора лежит эффект фотопроводимости, т. е. изменения сопротивления полупроводника при освещении, формирователях импульсов и т. п.

Динисторные оптопары - АОУ115А, АОУ115Б, АОУ115В, АОУ115Г, АОУ115Д состоят из арсенид - галлиевого инфракрасного излучателя и фотоприёмника - кремниевого фотодинистора, изолированных друг от друга. Данные оптроны изготавливают по гибридной технологии. Масса прибора - не более 0,8 г.

Основные характеристики:

- ток включения (ток излучателя), мА, не более, при напряжении на закрытом фото-динисторе 10 В20
- падение напряжения на излучателе, В, не более, при входном токе 20 мА2
- время включения, мкс, не более10
- время выключения, мкс, не более200

Предельные эксплуатационные данные:

- максимальный входной постоянный ток, мА30
- максимальный входной импульсный ток, мА60
- наибольшее прямое выходное напряжение на закрытом фото-динисторе, В, для АОУ115А50, АОУ115Б, В200, АОУ115Г, Д400

- наибольшее постоянное обратное напряжение на фотодинисторе, В, для
АОУ115В200, АОУ115Д400

- максимальный выходной постоянный ток, мА100
- минимальное выходное напряжение на закрытом фотодинисторе, В10
- напряжение изоляции, В1500

Оптроны и оптронные микросхемы эффективно применяются для передачи информации между устройствами, не имеющими замкнутых электрических связей. Традиционно сильными остаются позиции оптоэлектронных приборов в технике получения и отображения информации.

Самостоятельное значение в этом направлении имеют оптронные датчики, предназначенные для контроля процессов и объектов, весьма различных по природе и назначении. Заметно прогрессирует функциональная оптронная микросхемотехника, ориентированная на выполнение разнообразных операций, связанных с преобразованием, накоплением и хранением информации. Эффективной и полезной оказывается замена громоздких, недолговечных и не технологичных (с позиций микроэлектроники) электромеханических изделий (трансформаторов, потенциометров, реле) оптоэлектронными приборами и устройствами.

Достаточно специфическим, но во многих случаях оправданным и полезным является использование оптронных элементов в энергетических целях.

Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
22. Электровакуумные диоды
23. Электровакуумные триоды
24. Электровакуумные пентоды
Электровакуумный диод - электронная лампа с двумя электродами (катод и анод).

Электровакуумный диод представляет собой стеклянный или металлический баллон, из которого откачан воздух и внутри которого находятся катод и анод. От этих электродов сквозь стенки баллона проходят выводы. Если баллон стеклянный, то выводы впаиваются в стекло. Если же баллон металлический, то выводы выходят через стеклянные или керамические бусинки, впаянные в металл.
Анод имеет один вывод. В зависимости от конструкции выделяют катоды прямого накала и подогревные катоды. Катод прямого накала греется за счёт проходящего через него тока, и имеет два вывода. Для подогревного катода (который греется за счет близко расположенной нити накала) делают два вывода от подогревающей нити и один от, собственно, катода.

В практических конструкциях диодов анод обычно имеет форму цилиндра или коробки без двух стенок (часто с закругленными углами), окружающей катод. В последнем случае нить имеет вид латинской буквы V или W. При таких конструкциях анодов все излучаемые катодами электроны с одинаковой силой притягиваются анодами.

Для уменьшения нагрева анода его часто снабжают рёбрами или крылышками, которые способствуют лучшему отводу от него тепла.

Электровакуумный триод или триод, - электронная лампа, имеющая 3 электрода: термоэлектронный катод (прямого или косвенного накала), анод и одну управляющую сетку.

Катод, сетка и анод электровакуумного триода аналогичны соответственно эмиттеру, базе и коллектору биполярного транзистора или истоку, затвору и стоку полевого транзистора.

Все, что относится к сетке, обозначается символами с индексом g (от слова grid - сетка).

Триод имеет цепи накала и анода, подобные таким же цепям диода, и цепь сетки, состоящую из промежутка катод-сетка внутри лампы и источника сеточного напряжения Еg. В практических схемах в цепь сетки включают еще и другие элементы.

Разность потенциалов между сеткой и катодом называется сеточным напряжением (напряжением сетки) и обозначается Ug или ug. При положительном напряжении сетки часть электронов попадает на сетку и в ее цепи возникает сеточный ток (ток сетки), обозначаемый Ig или ig. Часть триода, состоящая из катода, сетки и пространства между ними, подобна диоду.

Основной и полезный ток в триоде - анодный. Он аналогичен коллекторному току биполярного транзистора или току стока полевого транзистора. Сеточный ток, аналогичный току базы транзистора, бесполезен и даже вреден. Во многих случаях сеточный ток уничтожают. Для этого напряжение сетки должно быть отрицательным. Тогда сетка отталкивает электроны. Возможность уничтожения вредного сеточного тока существенно отличает триод от биполярного транзистора, который всегда работает с током базы.



В проводе катода протекает суммарный ток, который называется катодным током:

i(k)=i(a)+i(g)

Катодный ток аналогичен эмиттерному току биполярного транзистора или току истока полевого транзистора. В триоде катодный и анодный токи равны только при u(g) < 0, так как в этом случае i(g) = 0.

Подобно диодам триоды обладают односторонней проводимостью. Но для выпрямления переменного тока их применять нет смысла, так как диоды проще по конструкции. Возможность управления анодным током с помощью сетки определяет основное назначение триодов – усиление электрических колебаний. Триоды применяются также для генерации электрических колебаний различной частоты.

Электровакуумные пентоды - пятиэлектродная электронная лампа, состоящая из катода, управляющей, экранирующей и антидинатронной (пентодной, защитной) сеток и анода. Маломощные пентод (мощностью до нескольких вт) применяются главным образом как приёмно-усилительные лампы, мощные пентод (мощностью несколько десятков вт и более) - как генераторные лампы.

Пентод появился как дальнейшее развитие др. электронной лампы - тетрода.

Введение третьей, ближайшей к аноду сетки устранило характерное для тетрода искривление анодных характеристик, вызываемое вторичной электронной эмиссией с анода или с экранирующей сетки - так называемым динатронным эффектом. С помощью пентод генерируются и усиливаются (до нескольких сотен раз) по напряжению и мощности электрического колебания с частотами до нескольких десятков Мгц.

Цитата:
Сообщение от izerli Посмотреть сообщение
25. Неоновые лампы
26. Тиратрон
Неоновая лампа - газоразрядная лампа, наполненная в основном неоном под низким давлением.

Цвет свечения - оранжево-красный. Название "неоновая лампа" иногда применяется и для аналогичных ламп, наполненных другими инертными газами (как правило, для получения свечения другого цвета).

Свет лампы обладает малой инерционностью и допускает яркостную модуляцию с частотой до 20 кГц. Лампы подключаются к источнику питания через токоограничительный резистор так, чтобы ток через лампу был не более 1 миллиампера (типичное значение для миниатюрных ламп), однако, понижение силы тока до 0,1..0,2 мА значительно продлевает срок службы лампы.

В некоторых лампах резистор вмонтирован в цоколь.

Использование лампы без резистора чрезвычайно опасно, поскольку может привести к перерастанию разряда в дуговой, сопровождающемуся возрастанием тока через неё до значения, ограниченного лишь внутренним сопротивлением источника питания и подводящих проводов, и, как следствие, коротким замыканием и (или) разрывом баллона лампы.

Напряжение зажигания лампы обычно не более 100 Вольт, напряжение гашения порядка 40-65 Вольт. Срок службы — 80 000 часов или более (ограничен поглощением газа стеклом колбы и потемнением колбы от распылённых электродов).

Неоновую лампу применяют иногда в генераторах, создающих пилообразное напряжение.

Тиратрон - ионный газоразрядный многоэлектродный коммутатор тока, в котором между анодом и катодом могут располагаться одна (триод), две (тетрод) или более (пентод, гексод) управляющие электроды (сетки). Для того, чтобы зажечь разряд между анодом и катодом, на сетку подаётся электрический сигнал. В отличие от вакуумных триодов, при снятии управляющего сигнала ток между анодом и катодом продолжается до тех пор, пока напряжение на аноде не уменьшится ниже напряжения поддержания разряда.

Тиратрон (от греч. thyra — дверь, вход и (элек)трон), ионный прибор (обычно 3-электродный) с накаливаемым либо холодным катодом, с сеточным управлением моментом возникновения (зажигания) несамостоятельного дугового разряда либо - соответственно - тлеющего разряда в среде заполняющего прибор газа. После зажигания его сетка теряет способность к управлению анодным током, поэтому погасить разряд в (в отличие от таситрона) можно только снижением анодного напряжения (до величины, меньшей, чем нормальное напряжение горения разряда). С развитием полупроводниковой электроники, предназначенные для использования в качестве реле, в выпрямителях тока, почти полностью вытеснены полупроводниковыми приборами (главным образом тиристорами). Однако Импульсные Тиратроны(ИТ) применяются широко - преимущественно в цепях формирования мощных импульсов электрического тока (главным образом в качестве коммутирующих приборов в модуляторах передатчиков радиолокационных станций).

При подаче на сетку ИТ импульсного напряжения амплитудой 100-300 в в пространстве между сеткой и катодом возникает вспомогательный разряд. Когда ток сетки и соответственно концентрация заряженных частиц вблизи сетки (в области, куда "проникает" поле анода), нарастая, достигают критических значений, начинается быстрый (длящийся лишь несколько десятков наносек) процесс формирования плазмы дугового разряда между анодом и катодом, при котором ток анода быстро нарастает, напряжение падает и ИТ переходит из закрытого состояния в открытое.

---

Итого 27 вопросов расписаны (:
__________________
n3kt0 и Я, разные люди! Они даже между собой не разговаривают друг о друге.



Последний раз редактировалось n3kt0; 23.06.2011 в 05:01. Причина: Добавлено сообщение
n3kt0 вне форума  
Плюсанули n3kt0 — 5 :
Старый 23.06.2011, 22:25   #15
Участник
 
Аватар для Frankie
 
Регистрация: 09.04.2008
Сообщений: 494

ICQ: 677544

Репутация: 2490
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от etc. Посмотреть сообщение
по секрету - учась в колледже, ты уже теряешьсвоё драгоценное время - поверь, я закончил подобное заведение 5 лет назад
О да, я сначала потерял год - ушел, потом вернулся - потерял еще полгода, теперь в инсте учусь.. тоже второй раз. Учеба для меня - больная тема.....
__________________
Глубина-глубина, я не твой… Отпусти меня, глубина…
Тринадцать лет спустя...
Фу - Спасибо - Ответить - Цитировать - >>
Frankie вне форума  
Плюсанул Frankie :
Тема закрыта

Опции темы
Оценка этой теме
Оценка этой теме:

Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход


Часовой пояс GMT +3, время: 16:52.


Перевод: zCarot
Форум Асечников © Asechka.RU

Новости Сочи